Fundamentals of EUV Lithography
오전 11:00 - 오전 11:50
EUV 노광기술은 이미 로직 소자 뿐만 아니라 DRAM 소자의 양산에 적용되고 있지만 해상도의 확보 이외에도 생산성의 향상 및 패턴 결함의 저감을 위한 다양한 기술개발이 진행되고 있다. 본 강좌에서는 노광에서 해상도를 개선하는 기본원리로부터 시작하여 EUV 노광장치의 구조, EUV 마스크의 특성, EUV 펠리클의 요구특성, EUV 레지스트의 감광 특성 등을 설명한다. 또한 조만간 다가올 high-NA EUV 노광기술에 적용되는 신기술도 간단히 소개한다. 본 강연은 EUV 리소그라피 공정을 시작하려는 분들에게 도움이 될 수 있도록 준비될 것이다.