Various Reliability Issues in DRAM cell transistors

10:30 am - 11:45 am

DRAM cell transistors가 스케일됨에 따라 다양한 신뢰성 문제가 발생하고 있습니다. 일반적으로 DRAM은 Packaging 전/후로 Repair 과정을 거쳐 신뢰성 issue를 차단하고자 하지만, VRT(Variable Retention Time), Row Hammer등의 문제는 Repair 과정에서 미리 걸러내지 못하고 있습니다. 

본 발표에서는 걸러내지 못하는 원인에 대해 분석하고, 최근 산업체에서 해결하는 여러 노력들을 소개하겠습니다. 그리고 최근 문제가 발생한 우주항공 방사능 영향에 대해서도 소개하겠습니다. 

Featured Speakers

T3_Junsoo Kim

Junsoo Kim

Master, Samsung Electronics

2009년 MOSFET에서 전자의 이동관련 model parameter를 추출하고 modeling 하는 것으로 서울대학교 전기컴퓨터 공학부에서 박사학위를 받았습니다. 이후 삼성전자 반도체 연구소에 입사하여 DRAM 제품의 Process Architecture 역할을 거쳐 현재는 DRAM cell transistor의 특성과 품질관련 Technical Leader 역할을 하고 있습니다.