ALD Fundamentals and Recent Advances: From Precursors to Equipment

9:00 am - 10:15 am

본 튜토리얼에서는 3차원 반도체 제조공정의 핵심기술인 atomic layer deposition (ALD)의 원리로부터 프리커서, 장비, 그리고 핵심부품의 기술동향을 포괄적으로 다룬다. ALD는 박막의 두께를 원자층 수준으로 조절할 수 있고, step coverage가 매우 우수하며, 비교적 저온에서 고품질의 박막을 제조할 수 있는 장점이 있다. 그러나 박막의 성장속도가 매우 느리고, 공정조건에 따라서는 우수한 step coverage을 얻지 못할 수도 있으며, ALD보다 높은 공정온도에서 chemical vapor deposition (CVD) 방식으로 증착된 박막에 비해 막질이 나쁠 수도 있다. 따라서 증기압, 반응성, 열안정성이 우수한 프리커서와 생산성(throughput)을 극대화한 장비, 그리고 고유량으로 프리커서를 공급할 수 있고 유지관리가 용이한 프리커서 공급 장치가 요구되고 있다.  

이번 튜토리얼에서는 현재 사용중인 ALD 프리커서를 원소별로 설명하고 프리커서의 열안정성 및 반응성을 향상시키기 위한 연구개발 트렌드를 소개한다. 또한 ALD 공정의 생산성을 향상시키기 위한 batch type, plasma-enhanced, spatial ALD 등의 장비 개념을설명하고 연구개발 트렌드를 소개한다. 마지막으로 충분한 양의 프리커서를 ALD 챔버에 안정적으로 공급하기 위한 precursor delivery system에 대해 설명하고 거기에 필요한 부품들을 소개한다. 

Featured Speakers

Wonjun Lee

Prof. Won-Jun Lee

Professor, Sejong University

Prof. Won-Jun Lee has been a professor in the Department of Nanotechnology and Advanced Materials Engineering at Sejong University since 2001. His research interests include processes, materials, and equipment for semiconductor device fabrication. Currently, he is focusing on the novel chemistry and reaction mechanisms of atomic layer deposition (ALD) and etching (ALE) processes for next-generation devices, utilizing in situcharacterization and density functional theory (DFT) calculations. 


Before joining Sejong University, Prof. Lee was a Member of Technical Staff at LG Semicon and Hyundai Electronics (now SK Hynix) for 5 years, during which he developed copper and aluminum interconnect technologies. He was a Visiting Scholar at Stanford University from 1996 to 1997 and a Visiting Scientist at Grenoble INP in 2015. Prof. Lee also served as Vice Director of the Consortium of Semiconductor Advanced Research (COSAR) from 2007 to 2012 and as Program Director of the Korean Research Foundation from 2014 to 2015. 


Prof. Lee received his BS, MS, and Ph.D. degrees in materials science and engineering from the Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) in 1991, 1993, and 1996, respectively. His dissertations focused on the chemical vapor deposition (CVD) of silicon carbide and copper.