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CMP Fundamentals for 3D Integration

2:00 pm - 3:15 pm

Chemical Mechanical Planarization (CMP) 기술은 1980년대 중반 IBM에 의해 반도체 양산공정에 처음 적용된 이후 지속적으로 발전해 왔다. 초기에는 포토공정을 위한 평탄화와 소자 isolation을 목적으로 활용되었으나, 최근에는 TSV, Hybrid Bonding, HBM 등 3D Integration 공정 전반에서 필수적인 기술로 그 중요성이 더욱 커지고 있다. 

본 강의에서는 3D Integration 공정을 중심으로 CMP의 정의와 기본 원리, 주요 공정 단계와 소모품, 그리고 post-CMP cleaning의 역할을 간략히 살펴보고, 차세대 3D Integration을 위한 CMP 기술의 방향성을 소개한다. 본 강의는 반도체 공정을 공부하는 대학생 및 대학원생, 그리고 CMP에 대한 기초 이해가 필요한 초급 엔지니어에게 도움이 될 것이다. 

Featured Speakers

Taesung Kim

Prof. Taesung Kim

Professor, Sungkyunkwan University

학력

  • 1998.07 - 2002.03 University of Minnesota 기계공학과, 박사
  • 1996.09 - 1998.06 University of Minnesota 기계공학과, 석사
  • 1990.03 – 1994.02 서울대학교 기계공학과학사

 

경력

  • 2023.01 – 현재 성균관대학교 공과대학 학장
  • 2005.03 – 현재 성균관대학교 기계공학부, 조교수/부교수/교수
  • 2019.01 – 2020.12 성균관대학교 입학처장
  • 2014.03 – 2018.12 성균관대학교 산학협력단 부단장 (창업보육센터장, 경기도창업보육센터협의회장, 경기도산학연협의회장, ….)
  • 2011.10 – 2014.09 삼성디스플레이, 자문위원
  • 2011.02 – 2012.01 한국과학기술연구원 (KIST), 방문연구원
  • 2002.03 – 2005.02 Seagate Technology, Senior/Staff Engineer
  • 1994.03 – 1996.06 제26기계화보병사단 보급수송대대, 소대장/대대참모 

 

연구분야

  • Chemical Mechanical Polishing/Cleaning/Contamination control
  • 2D nanomaterial synthesis using PECVD and application
  • Atmospheric/indoor air quality control/Cleanroom
  • Nanoparticle instrumentation and control